与非网6月16日讯 就在日前传出台积电正思考在日本独资兴建并运营芯片厂之后,美商内存大厂美光(Micron)的###实行官Sanjay Mehrotra近期在接受媒体采访时也表示,美光将与日本政府合作,通过扩大在日本的投资,以及与当地设备和材料企业合作,加强日本的半导体供应链。而针对该计划,韩国媒体指称将可能影响韩存厂商的发展。

  

Sanjay Mehrotra表示,美光愿意与日本企业合作开发第5代10纳米级的DRAM生产技术。事实上,美光已经于6月初的Computex 2021活动中宣布,已开始量产全球首批第4代10纳米级的DRAM。目前,韩国的SAMSUNG和SK海力士两家领先全球的内存大厂,当前DRAM全球市场上的排名非别为###和第二。但这两家企业仍然专注于第3代10纳米级DRAM的生产上。因此,在技术领先的情况下,美光已经开始在市场占有率方面逐步威胁SAMSUNG及SK海力士。

 

此外,美光还看上了全球NAND Flash闪存全球市场占有率第二的日本铠侠(Kioxia)。根据资料显示,SAMSUNG电子当前以33.5%的市场占有率位居NAND Flash闪存全球市场的龙头,而美光以11.1%的市场占有率排名第5。但是,如果美光收购了市场占有率达18.7%的铠侠之后,则美光将进一步将威胁到SAMSUNG。

 

美光是全球第三大 DRAM 制造商,该企业 6 月初宣布,已经开始量产第四代 10 nm级制程 DRAM,独步全球。

 

SAMSUNG电子和 SK 海力士分别是全球 DRAM 龙头和第二大厂,但两家企业主要开发的仍是第三代 DRAM 技术。然而美光本月宣布将砸下 140 亿美金,开始扩大台湾台中 DRAM 厂的规模,这逐渐威胁到SAMSUNG和海力士的市占率。

 

台积电则正在强化与美、日之间的关系。台积 2 月宣布在筑波市设置半导体研发城,且据悉正在评估在日本设立独资晶圆厂。

 

而台积电在美国亚利桑那州的 5 nm制程晶圆厂###近已经动工,该计划预定三年斥资 1000 亿美金,将多达六座工厂。

 

SAMSUNG电子也计划投资 170 亿美金扩大美国德州晶圆厂,也将扩大对韩国平泽 P3 产线的投资,不过目前并无进一步细节。

 

BusinessKorea 指出,尽管SAMSUNG电子已宣布 2030 年前半导体投资额将从 133 兆韩元提高到 171 兆韩元,但比起台积电三年内斥资的 111 兆韩元,美光投资还是相形见绌。


美光正逐渐展现出技术研发的实力,该企业在 2020 年 11 月开始向全球客户供应 176 层堆栈的 NAND Flash 产品,更是在 1 月份宣布已开始量产第四代 10 nm DRAM,这些都是韩国大厂SAMSUNG电子或 SK 海力士无法量产的产品。

 

有分析师表示,尽管目前韩国企业在成本竞争力和设施投资方面具有优势,但也正逐渐被美光和其他竞争对手追上。在 2019 年,美光的营业利益率为 19.5%,低于SAMSUNG电子的 21.6%,但却几乎是 SK 海力士 10.1% 的两倍。尽管SAMSUNG电子在 2020 年的营业利益率来到 25.8%,但 SK 海力士的营业利益率为 15.7%,与美光的 15.2% 相差无几。